招聘岗位（一）：III-V族化合物半导体材料生长或光通信光电子器件测试表征博士后（两名）
岗位要求：
（1）理学或工学博士毕业；
（2）具有半导体材料（物理）、半导体光电子器件、导波光学或通信专业背景；
（3）对研究有热情，了解相关领域国内外最新进展，动手能力强，有较强的英语阅读和写作能力，在前期学习/工作过程中做出同行认可的成绩；
（4）具有较强的团队合作意识、责任心和独立开展科研工作的能力，有意从事III-V化合物半导体异质衬底材料外延或者半导体光电子器件测试表征工作；
（5)具有化合物半导体MOCVD材料生长、光电子器件研制和表征或者光纤通信用光电子器件表征经验者优先考虑。
招聘岗位（二）：III-V化合物半导体器件工艺人员（两名）
岗位职责：负责III-V族化合物半导体器件部分工艺以及相关测量表征。
岗位要求：
(1)大专及以上学历；
(2)微电子、材料和物理专业毕业或者工作背景；
(3)动手能力强，善于学习，吃苦耐劳，有团队合作精神；
(4)有半年以上半导体超净间工作经验者优先考虑。
岗位待遇：按中科院苏州纳米所项目聘用相关规定执行。
应聘方式：
（1）报名截止时间:招满为止；
（2）应聘者将简历及毕业证书扫描件通过邮件，以“应聘岗位＋姓名”为主题发送至以下邮箱；
（3）我们将以邮件或电话的方式通知通过初选的应聘者，前来参加本单位组织的笔试或面试。
联系人：张瑞英电话：0512-62872560E-mail：ryzhang2008@sinano.ac.cn
岗位待遇：目前研究所博士后月收入税前约7500元，外加课题绩效和年终奖金。
业绩突出者，博士后出站后可优先留所工作。
岗位要求：
（1）理学或工学博士毕业；
（2）具有半导体材料（物理）、半导体光电子器件、导波光学或通信专业背景；
（3）对研究有热情，了解相关领域国内外最新进展，动手能力强，有较强的英语阅读和写作能力，在前期学习/工作过程中做出同行认可的成绩；
（4）具有较强的团队合作意识、责任心和独立开展科研工作的能力，有意从事III-V化合物半导体异质衬底材料外延或者半导体光电子器件测试表征工作；
（5)具有化合物半导体MOCVD材料生长、光电子器件研制和表征或者光纤通信用光电子器件表征经验者优先考虑。
招聘岗位（二）：III-V化合物半导体器件工艺人员（两名）
岗位职责：负责III-V族化合物半导体器件部分工艺以及相关测量表征。
岗位要求：
(1)大专及以上学历；
(2)微电子、材料和物理专业毕业或者工作背景；
(3)动手能力强，善于学习，吃苦耐劳，有团队合作精神；
(4)有半年以上半导体超净间工作经验者优先考虑。
岗位待遇：按中科院苏州纳米所项目聘用相关规定执行。
应聘方式：
（1）报名截止时间:招满为止；
（2）应聘者将简历及毕业证书扫描件通过邮件，以“应聘岗位＋姓名”为主题发送至以下邮箱；
（3）我们将以邮件或电话的方式通知通过初选的应聘者，前来参加本单位组织的笔试或面试。
联系人：张瑞英电话：0512-62872560E-mail：ryzhang2008@sinano.ac.cn
岗位待遇：目前研究所博士后月收入税前约7500元，外加课题绩效和年终奖金。
业绩突出者，博士后出站后可优先留所工作。
为防止简历投递丢失请抄送一份至：boshijob@126.com（邮件标题格式：应聘职位名称+姓名+学历+专业+中国博士人才网）
中国-博士人才网发布
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