一、岗位描述:
从事氮化镓相关材料研究
二、应聘条件:
1、半导体材料或半导体物理专业背景,具有博士学位;年龄35周岁以下;
2、具有III-V氮化物光电功能薄膜的制备及与光电性能测试等方面研究背景(有GaN晶体生长和HVPE使用研究经验者优先考虑);
3、在国外核心期刊发表论文3篇以上或申请过国家发明专利;
4、具有很强的独立工作能力;工作踏实、主动性强;
5、具有较强的团队协作精神和良好的沟通能力。
三、报名要求:
请有意竞聘者提交个人简历,邮件主题注明“应聘-科研人员”简历名称填写为“姓名-学校-专业-学位-毕业时间(X年X月)”。
简历接收截止日期:2014年12月31日。
联系人:刘宝丹邮箱:baodanliu@imr.ac.cn
为防止简历投递丢失请抄送一份至:boshijob@126.com(邮件标题格式:应聘职位名称+姓名+学历+专业+中国博士人才网)
中国-博士人才网发布
声明提示:凡本网注明“来源:XXX”的文/图等稿件,本网转载出于传递更多信息及方便产业探讨之目的,并不意味着本站赞同其观点或证实其内容的真实性,文章内容仅供参考。